លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Tray
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  N-Channel
• បច្ចេកវិទ្យា
  SiCFET (Silicon Carbide)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  1200 V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  400A (Tc)
• វ៉ុលដ្រាយ (អតិបរមា rds បើក, អប្បបរមា rds បើក)
  -
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (អតិបរមា)
  +22V, -4V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• លក្ខណៈពិសេស feet
  -
• ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)
  1570W (Tc)
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  175°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Chassis Mount
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  Module
• កញ្ចប់ / ករណី
  Module