លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  Z-FET™
• កញ្ចប់
  Bulk
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  2 N-Channel (Half Bridge)
• លក្ខណៈពិសេស feet
  Silicon Carbide (SiC)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  1200V (1.2kV)
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  423A (Tc)
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  1025nC @ 20V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  11700pF @ 600V
• ថាមពល - អតិបរមា
  1660W
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Chassis Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  Module, Screw Terminals
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  Module