TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q

ក្រុមហ៊ុនផលិត

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ប្រភេទ​ផលិតផល

diodes - rectifiers - តែមួយ

ការពិពណ៌នា

DODE SCHOTTKY 650V TO220

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

  • ស៊េរី
    -
  • កញ្ចប់
    Tube
  • ស្ថានភាពផ្នែក
    Active
  • ប្រភេទ diode
    Silicon Carbide Schottky
  • វ៉ុល - ឌីស៊ីបញ្ច្រាស (vr) (អតិបរមា)
    650 V
  • បច្ចុប្បន្ន - កែតម្រូវជាមធ្យម (io)
    10A (DC)
  • វ៉ុល - ទៅមុខ (vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ
    1.6 V @ 10 A
  • ល្បឿន
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស (trr)
    0 ns
  • បច្ចុប្បន្ន - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ vr
    50 µA @ 650 V
  • capacitance @ vr, f
    36pF @ 650V, 1MHz
  • ប្រភេទម៉ោន
    Through Hole
  • កញ្ចប់ / ករណី
    TO-220-2
  • កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
    TO-220-2L
  • សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ
    175°C (Max)

TRS10E65F,S1Q ស្នើសុំសម្រង់

នៅ​ក្នុង​ស្តុក 7032
បរិមាណ:
តម្លៃឯកតា (តម្លៃយោង):
4.90000
តម្លៃគោលដៅ:
សរុប:4.90000