លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Tray
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  2 N-Channel (Half Bridge)
• លក្ខណៈពិសេស feet
  Silicon Carbide (SiC)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  1200V (1.2kV)
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  300A (Tc)
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  4V @ 68mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  35000pF @ 10V
• ថាមពល - អតិបរមា
  1875W
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Chassis Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  Module
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  Module