NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

ក្រុមហ៊ុនផលិត

Rochester Electronics

ប្រភេទ​ផលិតផល

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - fets, mosfets - អារេ

ការពិពណ៌នា

P-CHANNEL POWER MOSFET

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

  • ស៊េរី
    -
  • កញ្ចប់
    Bulk
  • ស្ថានភាពផ្នែក
    Obsolete
  • ប្រភេទជើង
    N and P-Channel
  • លក្ខណៈពិសេស feet
    Logic Level Gate
  • បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
    20V
  • បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
    5.2A, 3.4A
  • rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
    43mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (អតិបរមា) @ id
    1.2V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    20nC @ 4.5V
  • input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
    1100pF @ 10V
  • ថាមពល - អតិបរមា
    2W
  • សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ប្រភេទម៉ោន
    Surface Mount
  • កញ្ចប់ / ករណី
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
    8-SOIC

NTMD2C02R2G ស្នើសុំសម្រង់

នៅ​ក្នុង​ស្តុក 27919
បរិមាណ:
តម្លៃឯកតា (តម្លៃយោង):
0.37000
តម្លៃគោលដៅ:
សរុប:0.37000

ឯកសារយោងឆ្លង

សន្លឹកទិន្នន័យ