លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  HEXFET®
• កញ្ចប់
  Bulk
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  2 N-Channel (Dual)
• លក្ខណៈពិសេស feet
  Standard
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  30V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  6.5A
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  29mOhm @ 5.8A, 10V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  1V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  33nC @ 10V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  650pF @ 25V
• ថាមពល - អតិបរមា
  2W
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  8-SO