លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  BIMOSFET™
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទ igbt
  -
• ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ
  Full Bridge
• វ៉ុល - ការវិភាគអ្នកបញ្ចេញបញ្ចេញ (អតិបរមា)
  3000 V
• បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូល (ic) (អតិបរមា)
  34 A
• ថាមពល - អតិបរមា
  150 W
• vce(on) (អតិបរមា) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• បច្ចុប្បន្ន - ការកាត់ផ្តាច់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា)
  -
• បញ្ចូល capacitance (cies) @ vce
  -
• បញ្ចូល
  Standard
• ឧបករណ៍កម្តៅ ntc
  No
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  24-SMD Module, 9 Leads
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  24-SMPD