លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  HEXFET®, StrongIRFET™
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  N-Channel
• បច្ចេកវិទ្យា
  MOSFET (Metal Oxide)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  200 V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  12A (Tc)
• វ៉ុលដ្រាយ (អតិបរមា rds បើក, អប្បបរមា rds បើក)
  10V
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  170mOhm @ 7.2A, 10V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  4.9V @ 50µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  23 nC @ 10 V
• vgs (អតិបរមា)
  ±20V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  790 pF @ 50 V
• លក្ខណៈពិសេស feet
  -
• ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)
  80W (Tc)
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Through Hole
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  TO-220AB
• កញ្ចប់ / ករណី
  TO-220-3