លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  CoolSiC™+
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ diode
  1 Pair Common Cathode
• ប្រភេទ diode
  Silicon Carbide Schottky
• វ៉ុល - ឌីស៊ីបញ្ច្រាស (vr) (អតិបរមា)
  1200 V
• បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមកែតម្រូវ (io) (ក្នុងមួយឌីអេដ)
  31A
• វ៉ុល - ទៅមុខ (vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ
  1.65 V @ 10 A
• ល្បឿន
  Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស (trr)
  -
• បច្ចុប្បន្ន - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ vr
  83 µA @ 1200 V
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ
  -55°C ~ 175°C
• ប្រភេទម៉ោន
  Through Hole
• កញ្ចប់ / ករណី
  TO-247-3
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  PG-TO247-3