FF6MR12W2M1B11BOMA1

FF6MR12W2M1B11BOMA1

ក្រុមហ៊ុនផលិត

IR (Infineon Technologies)

ប្រភេទ​ផលិតផល

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - fets, mosfets - អារេ

ការពិពណ៌នា

MOSFET MODULE 1200V 200A

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

  • ស៊េរី
    CoolSiC™+
  • កញ្ចប់
    Tray
  • ស្ថានភាពផ្នែក
    Active
  • ប្រភេទជើង
    2 N-Channel (Dual)
  • លក្ខណៈពិសេស feet
    Silicon Carbide (SiC)
  • បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
    1200V
  • បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
    200A (Tj)
  • rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
    5.63mOhm @ 200A, 15V
  • vgs(th) (អតិបរមា) @ id
    5.55V @ 10mA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    496nC @ 15V
  • input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
    14700pF @ 800V
  • ថាមពល - អតិបរមា
    20mW (Tc)
  • សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • ប្រភេទម៉ោន
    Chassis Mount
  • កញ្ចប់ / ករណី
    Module
  • កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
    AG-EASY2BM-2

FF6MR12W2M1B11BOMA1 ស្នើសុំសម្រង់

នៅ​ក្នុង​ស្តុក 1005
បរិមាណ:
តម្លៃឯកតា (តម្លៃយោង):
323.73000
តម្លៃគោលដៅ:
សរុប:323.73000