លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  eGaN®
• កញ្ចប់
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• លក្ខណៈពិសេស feet
  GaNFET (Gallium Nitride)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  100V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  1.7A, 500mA
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• ថាមពល - អតិបរមា
  -
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  9-VFBGA
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  9-BGA (1.35x1.35)