លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទ diode
  Silicon Carbide Schottky
• វ៉ុល - ឌីស៊ីបញ្ច្រាស (vr) (អតិបរមា)
  1200 V
• បច្ចុប្បន្ន - កែតម្រូវជាមធ្យម (io)
  18A (DC)
• វ៉ុល - ទៅមុខ (vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ
  1.7 V @ 5 A
• ល្បឿន
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស (trr)
  0 ns
• បច្ចុប្បន្ន - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ vr
  100 µA @ 1200 V
• capacitance @ vr, f
  475pF @ 0V, 1MHz
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  D-PAK (TO-252)
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ
  -55°C ~ 175°C