លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  C2M™
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Not For New Designs
• ប្រភេទជើង
  N-Channel
• បច្ចេកវិទ្យា
  SiCFET (Silicon Carbide)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  1700 V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  72A (Tc)
• វ៉ុលដ្រាយ (អតិបរមា rds បើក, អប្បបរមា rds បើក)
  20V
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  4V @ 18mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (អតិបរមា)
  +25V, -10V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• លក្ខណៈពិសេស feet
  -
• ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)
  520W (Tc)
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Through Hole
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  TO-247-4
• កញ្ចប់ / ករណី
  TO-247-4