TRS16N65FB,S1Q

TRS16N65FB,S1Q

ក្រុមហ៊ុនផលិត

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ប្រភេទ​ផលិតផល

diodes - rectifiers - អារេ

ការពិពណ៌នា

SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

  • ស៊េរី
    -
  • កញ្ចប់
    Tube
  • ស្ថានភាពផ្នែក
    Active
  • ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ diode
    1 Pair Common Cathode
  • ប្រភេទ diode
    Silicon Carbide Schottky
  • វ៉ុល - ឌីស៊ីបញ្ច្រាស (vr) (អតិបរមា)
    650 V
  • បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមកែតម្រូវ (io) (ក្នុងមួយឌីអេដ)
    8A (DC)
  • វ៉ុល - ទៅមុខ (vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ
    1.6 V @ 8 A
  • ល្បឿន
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស (trr)
    0 ns
  • បច្ចុប្បន្ន - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ vr
    40 µA @ 650 V
  • សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ
    175°C
  • ប្រភេទម៉ោន
    Through Hole
  • កញ្ចប់ / ករណី
    TO-247-3
  • កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
    TO-247

TRS16N65FB,S1Q ស្នើសុំសម្រង់

នៅ​ក្នុង​ស្តុក 8867
បរិមាណ:
តម្លៃឯកតា (តម្លៃយោង):
6.26000
តម្លៃគោលដៅ:
សរុប:6.26000