លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធជំរុញ
  Half-Bridge
• ប្រភេទឆានែល
  Independent
• ចំនួនអ្នកបើកបរ
  2
• ប្រភេទច្រកទ្វារ
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• វ៉ុលផ្គត់ផ្គង់
  17V (Max)
• វ៉ុលតក្កវិជ្ជា - vil, vih
  1.1V, 1.8V
• បច្ចុប្បន្ន - ទិន្នផលខ្ពស់បំផុត (ប្រភព, លិច)
  400mA, 650mA
• ប្រភេទបញ្ចូល
  Inverting
• វ៉ុលចំហៀងខ្ពស់ - អតិបរមា (bootstrap)
  600 V
• ពេលវេលាកើនឡើង / ធ្លាក់ (វាយ)
  70ns, 40ns
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  -