លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Bulk
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Obsolete
• ប្រភេទជើង
  P-Channel
• បច្ចេកវិទ្យា
  MOSFET (Metal Oxide)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  8 V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  5.4A (Tj)
• វ៉ុលដ្រាយ (អតិបរមា rds បើក, អប្បបរមា rds បើក)
  1.8V, 4.5V
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  25mOhm @ 5.4A, 4.5V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  1.5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 4.5 V
• vgs (អតិបរមា)
  ±8V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  2.4 pF @ 6.4 V
• លក្ខណៈពិសេស feet
  -
• ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)
  1.3W (Ta)
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  ChipFET™
• កញ្ចប់ / ករណី
  8-SMD, Flat Lead