CY7C1413KV18-250BZC

CY7C1413KV18-250BZC

ក្រុមហ៊ុនផលិត

Rochester Electronics

ប្រភេទ​ផលិតផល

ការចងចាំ

ការពិពណ៌នា

QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

  • ស៊េរី
    -
  • កញ្ចប់
    Bulk
  • ស្ថានភាពផ្នែក
    Active
  • ប្រភេទអង្គចងចាំ
    Volatile
  • ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ
    SRAM
  • បច្ចេកវិទ្យា
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • ទំហំអង្គចងចាំ
    36Mb (2M x 18)
  • ចំណុចប្រទាក់អង្គចងចាំ
    Parallel
  • ប្រេកង់នាឡិកា
    250 MHz
  • សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យទំព័រ
    -
  • ពេលវេលាចូលប្រើ
    -
  • វ៉ុលផ្គត់ផ្គង់
    1.7V ~ 1.9V
  • សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
    0°C ~ 70°C (TA)
  • ប្រភេទម៉ោន
    Surface Mount
  • កញ្ចប់ / ករណី
    165-LBGA
  • កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
    165-FBGA (13x15)

CY7C1413KV18-250BZC ស្នើសុំសម្រង់

នៅ​ក្នុង​ស្តុក 2136
បរិមាណ:
តម្លៃឯកតា (តម្លៃយោង):
41.37000
តម្លៃគោលដៅ:
សរុប:41.37000

សន្លឹកទិន្នន័យ