លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  -
• កញ្ចប់
  Tray
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• capacitance @ vr, f
  1.98pF @ 4V, 1MHz
• សមាមាត្រ capacitance
  4.9
• លក្ខខណ្ឌសមាមាត្រ capacitance
  C2/C12
• វ៉ុល - កំពូលបញ្ច្រាស (អតិបរមា)
  18 V
• ប្រភេទ diode
  Single
• q @ vr, f
  2500 @ 4V, 50MHz
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -65°C ~ 175°C
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  Die
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  Chip