លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  BIMOSFET™
• កញ្ចប់
  Tube
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Not For New Designs
• ប្រភេទ igbt
  -
• វ៉ុល - ការវិភាគអ្នកបញ្ចេញបញ្ចេញ (អតិបរមា)
  3600 V
• បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូល (ic) (អតិបរមា)
  70 A
• បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលជីពចរ (icm)
  220 A
• vce(on) (អតិបរមា) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• ថាមពល - អតិបរមា
  430 W
• ការផ្លាស់ប្តូរថាមពល
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• ប្រភេទបញ្ចូល
  Standard
• ថ្លៃច្រកទ្វារ
  110 nC
• td (បើក/បិទ) @ 25°c
  18ns/238ns
• លក្ខខណ្ឌសាកល្បង
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស (trr)
  1.7 µs
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  TO-268