លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  eGaN®
• កញ្ចប់
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទជើង
  N-Channel
• បច្ចេកវិទ្យា
  GaNFET (Gallium Nitride)
• បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (vdss)
  80 V
• បច្ចុប្បន្ន - ការបង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 °c
  48A (Ta)
• វ៉ុលដ្រាយ (អតិបរមា rds បើក, អប្បបរមា rds បើក)
  5V
• rds នៅលើ (អតិបរមា) @ id, vgs
  3.2mOhm @ 30A, 5V
• vgs(th) (អតិបរមា) @ id
  2.5V @ 12mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  13 nC @ 5 V
• vgs (អតិបរមា)
  +6V, -4V
• input capacitance (ciss) (អតិបរមា) @ vds
  1410 pF @ 40 V
• លក្ខណៈពិសេស feet
  -
• ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)
  -
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  Die
• កញ្ចប់ / ករណី
  Die