លក្ខណៈបច្ចេកទេស

• ស៊េរី
  NoBL™
• កញ្ចប់
  Tray
• ស្ថានភាពផ្នែក
  Active
• ប្រភេទអង្គចងចាំ
  Volatile
• ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ
  SRAM
• បច្ចេកវិទ្យា
  SRAM - Synchronous, SDR
• ទំហំអង្គចងចាំ
  36Mb (1M x 36)
• ចំណុចប្រទាក់អង្គចងចាំ
  Parallel
• ប្រេកង់នាឡិកា
  200 MHz
• សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យទំព័រ
  -
• ពេលវេលាចូលប្រើ
  3.2 ns
• វ៉ុលផ្គត់ផ្គង់
  2.375V ~ 2.625V
• សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ប្រភេទម៉ោន
  Surface Mount
• កញ្ចប់ / ករណី
  165-LBGA
• កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
  165-FBGA (15x17)